机械可靠性测试厂家浅谈可靠性试验特点

可靠性筛选试验的特点是：

　　1、这种试验不是抽样的，而是**试验；
　　2、该试验可以提高合格品的总的可靠性水平，但不能提高产品的固有可靠性，即不能提高每个产品的寿命；
　　3、不能简单地以筛选淘汰率的高低来评价筛选效果。淘汰率高，有可能是产品本身的设计、元件、工艺等方面存在严重缺陷，但也有可能是筛选应力强度太高。
　　淘汰率低，有可能产品缺陷少，但也可能是筛选应力的强度和试验时间不足造成的。通常以筛选淘汰率Q和筛选效果β值来评价筛选方法的优劣：合理的筛选方法应该是β值较大，而Q值适中。
　　可靠性鉴定试验分两类：一类为产品可靠性鉴定试验，一类为工艺(含材料)的可靠性鉴定试验。
　　产品可靠性鉴定试验一般是在新产品设计定型和生产定型时进行。目的是考核产品的指标是否全面达到了设计要求，考核产品是否达到了预定的可靠性要求。试验的内容一般与质量一致性检验一致，既A、B、c、D四组试验都做，有抗辐射强度规定产品也做要E组试验。当产品的设计、结构、材料或工艺有重大改变时也要做可靠性鉴定试验。
　　工艺(含材料)的可靠性鉴定试验用于考核生产线对材料和工艺的选择及控制能力是否能保证所制造的产品的质量和可靠性，是否能满足某种质景保证等级的要求。

其他常用的电子产品可靠性试验介绍

　　恒定加速度试验
　　该试验目的是考核傲电路承受恒定加速度的能力。它可以暴露由微电路结构强度低和机械缺陷引起的失效。如芯片脱落、内引线开路、管壳变形、漏气等。
　　试验条件：在微电路芯片脱出方向、压紧方向和与该方向垂直的方向施加大于1mm的恒定加速度，加速度取值范围一般取为49000m／s：-1225000m／sV5000~125000z)之间。试验时微电路的壳体应刚性固定在恒定加速器上。
　　机械冲击试验
　　该试验目的是考核微电路承受机械冲击的能力。即考核微电路承受突然受力的能力。在装卸、运输、现场工作过程中会使微电路突然受力。如跌落、碰撞时微电路会受到突发的机械应力．这些应力可能引起微电路的芯片脱落、内引线开路、管壳变形、漏气等失效。
　　试验条件：试验时微电路的壳体应刚性固定在试验台基上，外引线要施加保护。对微电路的芯片脱出方向、压紧方向和与该方向垂直的方向各施加五次半正弦波的机械冲击脉冲。冲击脉冲的峰值加速度取值范围—般取为4900m／s2~294000m／s2(500g~30000g)脉冲持续时间为0.1ms—1.0ms，允许失真不大于峰值加速度的20％。
　　机械振动试验
　　振动试验主要有四种，即扫频振动试验、振动疲劳试验。振动噪声试验和随机振动试验。目的是考核微电路在不同振动条件下的结构牢固性和电特性的稳定性。
　　扫频振动试验使微电路作等幅谐振动，其加速度峰值一般分为196m／s：(20e)、490m／s2(50g)和686m/s2(70g)三档．振动频率从20Hz一2000Hz范围内随时间校对数变化。振动频率从20Hz~2000Hz再回到20Hz的时间要求不小于4mm，并且在互相垂直的三个方向上(其中一个方向与芯片垂直)各进行五次。
　　振动疲劳试验也要使微电路作等幅谐振动，但是其振动频率是固定的，一般为几十到几百赫兹，其加速度峰值一般也分为196m／s2(20g)、490m／s2(50g)和686m／s2(70g)三档。在互相垂直的三个方向上(其中一个方向与芯片垂直)各进行一次，每次的时间大约为32h。
　　随机振动试验的试验条件是模拟各种现代化现场环境下可能产生的振动。随机振动的振幅具有高斯分布。加速度谱密度与频率的关系是特定的。频率范围为几十到2000Hz。
　　振动噪声试验的试验条件与扫颇振动试验基本相同。使微电路作等幅谐振动，其加速度峰值一般不小于196m／s2(20g)．振动频率从20Hs一2000Hz范围内随时间按对数变化．振动频率从20Hz一2000Hz再回到20Hz的时间要求不小于4min，并且在互相垂直的三个方向上(其中一个方向与芯片垂直)各进行1次。
　　但是微电路要施加规定的电压和电流。测量在试验过程中在规定负载电阻上的较大噪声输出电压是否**出了规定值。
　　键合强度试验
　　该试验目的是检验微电路封装内部的内引线与芯片和内引线与封装体内外引线端键合强度．分为破坏性键合强度试验和非破坏性键合强度试验．键合强度差的微电路会出现内引线开路失效。
　　试验要求在键合线中部对键合线施加垂直微电路；芯片方向指向芯片反方向的力，施力要从零开始缓慢增加，避免冲击力。若设定一个力，当施力增加到该力时停止馅力，且此力应不大于较小键合力规定值的80％，则试验称为非破坏性键合强度试验。
　　若试验时施力增加到键合断裂时停止，称破坏性健合强度试验。健合强度试验目的是对微电路键合性能作批次性评价，所以要有足够多的试验样品．非破坏性键合强度试验有时作为筛选试验项目。
　　芯片附着强度试验
　　该试验目的是考核芯片与管壳或基片结合的机械强度。芯片附着强度试验有两个，即芯片与基片／底座附着强度试验和剪切力试验．前者是考核芯片承受垂直芯片脱寓基片／底座方向受力的能力。后者是考核芯片承受平行芯片与基片／底座结合面方向受力的能力。
　　试验要求严格控制施加力的方向，且避免冲击力。该试验的判据力与芯片面积成正比，且与脱落后界面附着痕迹面积与芯片面积的比值有关．附着痕迹面积小，意味着结合性能差，判据力要加严。

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